Praha, 20. mars 2015 - Samsung Electronics Co., Ltd., en verdensleder innen avansert minneteknologi, introduserer høyytelses 128 GB 3bit NAND-lagring for mobile enheter, som er basert på Embedded MultiMedia-teknologiCard (eMMC) 5.0. Flaggskipene blant smarttelefoner bytter allerede til 128 GB minnelagring basert på Universal Flash Storage (UFS) 2.0- eller EMMC 5.1-standardene. På samme måte vil selv mellomstore smarttelefoner nå kunne øke kapasiteten til 128 GB takket være det nye depotet Samsung 3bit NAND eMMC 5.0. Denne minnebrikken har den største kapasiteten innenfor eMMC 5.0-standarden.
«Med lanseringen av vår NAND-baserte 3bit eMMC 5.0-serie, forventer vi å lede an i utvidelsen av mobillagring med høy kapasitet. Vi fortsetter å utvikle vårt mobilminnetilbud med forbedret ytelse og høyere kapasitet for å møte økende kundebehov på tvers av mobiltelefonindustrien.» sa Dr. Jung-Bae Lee, senior visepresident for Memory Product Planning and Application Engineering-teamet hos Samsung Electronics.
Sekvensiell lesing dataene til den nye 128 GB eMMC 5.0-lagringen fra Samsung kjører med hastighet 260 MB / s. Dette er den samme ytelsen som det NAND-baserte MLC eMMC 5.1-minnet. Tilfeldig lese- og skriveytelse je 6000 IOPS, resp. 5000 IOPS, som er rask nok til å støtte HD-videoer og avanserte multitasking-funksjoner. Sammenlignet med eksterne minnekort er disse lese- og skrivehastighetene ca 4 ganger a 10 ganger høyere.
Den nye 3bit eMMC 5.0-serien utvider Samsungs virksomhet fra å levere SSD-er for datasentre, servere og datamaskiner til hele markedet for mobillagring. Samsung vil fortsette å introdusere 3-bit NAND Flash-minner gjennom utvikling av løsninger med høy ytelse og høy kapasitet, samt fortsette å styrke konkurranseevnen til sin minneteknologivirksomhet.
//
//
